一种氮化硅陶瓷层碳化硅芯片封装

本发明提供了一种氮化硅陶瓷层碳化硅芯片封装,涉及芯片封装技术领域，其包括氮化硅陶瓷基板，以及连接于所述氮化硅陶瓷基板上的碳化硅芯片模块；氮化硅陶瓷基板的设置充分发挥碳化硅功率器件的性能，模块的整体能耗得到了显著降低，使得其在相同的工作条件下能够更加高效地运作，减少了能源消耗；提升了运行效率，还延长了设备的使用寿命。此外，模块的最高工作结温也得到了有效提升，使其能够在更高温度环境中稳定工作。8字状的电流回路布局，不仅使模块的杂散电感降低了不少，还显著减少了工作中的电压尖峰，提升了模块的整体电气性能和可靠性。有效地减少了寄生效应对模块性能的负面影响，确保了模块在高频高功率条件下的稳定运行。