半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在解决因体电子陷阱或界面态陷阱，导致的反偏问题和/或动态电阻问题。半导体器件包括衬底、外延层、势垒层、栅极、帽层、源极、漏极和功能层。外延层和势垒层层叠设置于所述衬底之上，所述势垒层相比所述外延层远离所述衬底。栅极位于所述势垒层远离所述衬底的一侧。帽层位于所述势垒层和所述栅极之间。源极和漏极位于所述势垒层远离所述衬底的一侧，且分别位于所述栅极的相对两侧。功能层位于所述势垒层远离所述衬底的一侧。所述功能层和所述漏极位于所述栅极的同一侧，且所述功能层和所述漏极连接。所述功能层的厚度小于所述帽层的厚度。