一种电子束灰度光刻的低波前误差双闪耀光栅制作方法

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正文
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一种电子束灰度光刻的低波前误差双闪耀光栅制作方法
申请号:CN202411731977
申请日期:2024-11-29
公开号:CN119395798B
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种电子束灰度光刻的低波前误差双闪耀光栅制作方法,该方法通过将电子束的剂量参数分解为平均剂量和剂量差,将光栅参数分解为光栅高度和光栅深度,构建了二者之间的数学模型。通过微分计算和最小二乘法拟合,优化了剂量参数与光栅高度、深度之间的关系,进而实现了目标光栅的高精度制作。具体步骤包括:首先分解剂量和光栅参数,并建立光栅高度、深度与剂量参数之间的第一数学模型;然后通过实验获取关系数据,并利用第二数学模型进行优化计算,最终得出目标光栅对应的剂量参数;最后,根据目标参数制作出低波前误差的双闪耀光栅。该方法能够有效降低波前误差,提高光刻精度,且具有较好的制造一致性,适用于高精度光栅的生产需求。
技术关键词
数学模型 闪耀光栅 电子束 光刻 参数 波前误差 强度 变量 数值 线性 精度 关系
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