集成类脑芯片及其制作方法

本发明提供了一种集成类脑芯片，其包括：衬底；在所述衬底上的缓冲层；在所述缓冲层上的底电极；在所述底电极上的第一GaN层；在所述第一GaN层上的多量子阱层或者多量子点层；在所述多量子阱层或者所述量子点层上的第二GaN层；在所述第二GaN层上的顶电极；其中，所述第一GaN层为N型掺杂的GaN层，所述所述第二GaN层为P型掺杂的GaN层；或者，所述第一GaN层为P型掺杂的GaN层，所述所述第二GaN层为N型掺杂的GaN层。本发明还提供了一种该集成类脑芯片的制作方法。本发明的集成类脑芯片同时兼具光电探测功能、类脑突触功能和发光显示功能，集成度更高，效率更高，应用场景更广泛。