半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的性能，并提升半导体器件的使用寿命，半导体器件包括衬底、势垒层、栅极、源极、漏极和至少两个第一极化增强部，势垒层设置于衬底的一侧，栅极设置于势垒层远离衬底的一侧，源极和漏极沿第一方向设置于栅极的相对两侧，第一方向平行于衬底，至少两个第一极化增强部设置于栅极和漏极之间，且设置于势垒层远离衬底的一侧，至少两个第一极化增强部沿第一方向间隔设置。上述半导体器件应用于芯片中。