一种薄膜芯片显影方法

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种薄膜芯片显影方法，包括如下步骤，S1、将曝光后的薄膜芯片放入到第一显影槽内浸泡至芯片表面显现出明显的图形轮廓且伴随有虚影时，控制薄膜芯片在显影液内、外任意两端颠倒倾斜多次，至薄膜芯片表面出现明显图形；S2、将完成S1的芯片转移至第二显影槽内进行至少两次静止浸泡，每次浸泡后都控制芯片在显影液内、外任意两端颠倒倾斜多次使溶解的光刻胶从芯片表面流出，芯片倾斜的同时对芯片表面进行冲洗，整个过程循环至显影完成90％及以上；S3、将完成S2的薄膜芯片转移至第三显影槽内静止浸泡，然后再进行全域冲洗，直至完全显影。本方案用以提供一种对光刻胶门槛低且生产效率更高、成本更低的显影技术。