一种半导体结构的制备方法

本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，其特征在于，方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括多个第一芯片，多个第一芯片之间设置有第一切割道；在第一晶圆的第一表面上形成第一介质层及位于第一介质层中的第一凹槽和第二凹槽，在第一凹槽中形成第一对准标记，并在第二凹槽中形成第一接触衬垫，第一接触衬垫与第一芯片连接；提供多个第二芯片结构，并将第二芯片结构与第一晶圆设置有第一对准标记的一侧上的第一芯片对应键合连接以形成所述第一半导体结构；待键合结构上形成有与第一对准标记相对应的第二对准标记；并基于第一对准标记和第二对准标记之间的对准操作，将第一半导体结构与待键合结构键合。