功率半导体器件及其制备方法

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功率半导体器件及其制备方法
申请号:CN202411805400
申请日期:2024-12-10
公开号:CN119695015A
公开日期:2025-03-25
类型:发明专利
摘要
本申请涉及半导体器件技术领域,公开一种功率半导体器件及其制备方法,其中,功率半导体器件包括:基板、芯片、功率引脚、第一信号引脚、第二信号引脚;芯片设置于基板,与功率引脚、第一信号引脚、第二信号引脚电连接;第一信号引脚与功率引脚设置于基板的同一侧面;第二信号引脚与功率引脚设置于基板的不同侧面。第一信号引脚与功率引脚设置于基板的同一侧面,可以减少信号传输路径的长度,从而减少信号延迟和干扰,提高信号传输的效率和可靠性。第二信号引脚与功率引脚设置于基板的不同侧面,可以实现多引脚设计,提高功率半导体器件的焊接稳固性,并提高器件的通流能力及耐受高功率能力。
技术关键词
功率半导体器件 绝缘散热片 基板 功率芯片 半导体器件技术 传输路径 高功率 电气 电信号 布局 栅极 电路
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