摘要
本发明提出了一种用于传感芯片投影光刻机的多次套刻对准方法,属于光刻领域,包括一次和二次套刻对准算法。一次套刻对准算法通过识别膜片的外部轮廓,计算其在图像中的位置坐标及X向和Y向的偏差量,用于一次曝光确定膜片的位置。而二次套刻对准算法则针对已有一层图案的膜片,通过识别图案中的左右定位标记,精确计算膜片的中心坐标以及X向、Y向和旋转角度(R向)的偏差量。通过这些偏差量,光刻机的气浮台工件台和掩膜台能够进行实时补偿,从而确保膜片的精确曝光。本发明的对准方法显著提高了传感芯片制造过程中各层图案的对准精度,减少了因对准误差引发的缺陷。
技术关键词
膜片
套刻对准方法
投影光刻机
传感芯片
图像
坐标
像素
定位标记
灰度直方图
偏差
补偿偏移量
模板
物理
对准误差
算法
工件