铁电场效应晶体管及制备方法、存储芯片

本申请涉及半导体器件制作技术领域，提出一种铁电场效应晶体管及制备方法、存储芯片，该铁电场效应晶体管包括：具有源极、漏极、处于源极和漏极之间的沟道区域的衬底；以及，位于沟道区域之上且沿背离衬底方向依次设置的界面层、具有插层的叠层和顶电极；其中，具有插层的叠层包括：沿背离衬底方向依次设置的第一铁电层、薄膜插层和第二铁电层。本申请提出的铁电场效应晶体管，相比叠层中没有薄膜插层的铁电场效应晶体管器件，可以阻断铁电晶粒的生长，防止漏电通路的形成，进而抑制器件栅漏电流，实现器件耐久特性的提升，提升器件性能。