一种芯片中通孔内部结构的表征方法

本发明公开了一种芯片中通孔内部结构的表征方法，涉及芯片先进封装技术领域，包括以下步骤：提供一中介层晶圆，在所述中介层晶圆上设置切割路径，所述切割路径经过至少一个所述通孔；将激光束聚焦到所述中介层晶圆的切割路径，以使得所述切割路径上的晶圆材料在光束照射下温度升高并升华，得到改质区域，所述改质区域形成有改质点和裂纹；将所述中介层晶圆沿着所述切割路径断裂，得到切割后的中介层晶圆；观测切割后的中介层晶圆中通孔的内部结构。本发明的表征方法步骤简单，能较快地将芯片切割暴露通孔内壁，切割效果较好。