一种功率器件的设计方法及系统

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一种功率器件的设计方法及系统
申请号:CN202411823429
申请日期:2024-12-12
公开号:CN119294150B
公开日期:2025-03-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种功率器件的设计方法及系统,涉及芯片设计技术领域,方法包括:确定功率场效应管的期望击穿电压;确定功率场效应管的外延层掺杂浓度、外延层厚度和外延层电阻率;结合电场均匀性原则确定功率场效应管的阱宽和阱深;结合电场在功率场效应管耗尽区的分布方式,计算功率场效应管在不同几何单元类型和不同阱间距下的估计导通电阻;确定目标几何单元类型;基于目标几何单元类型计算功率场效应管的最优阱间距;将外延层掺杂浓度、外延层厚度、外延层电阻率、阱宽、阱深、目标几何单元类型和最优阱间距作为设计参数输出。在确保功率器件设计的高性能的同时,缩短设计周期,降低设计成本。
技术关键词
功率场效应管 外延层电阻率 功率器件 线性单元 层厚度 功率单元 计算机可读指令 六边形 间距 芯片设计技术 缩短设计周期 电场 电压 基材 栅氧化层 设计系统 热阻 因子
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