一种智能终端内部芯片端口辐射电场下发射耦合方法

本发明公开了一种智能终端内部芯片端口辐射电场下发射耦合方法。当智能设备在遭受高压开关开关分合、振荡冲击等强暂态干扰时，由于冲击电流流过高压开关回路从而产生严重的辐射电场。为深入分析电气化铁路智能终端在遭受高压开关强电磁暂态干扰的受扰程度，探究内部智能芯片的受扰情况，提出设计包含发射导体，PCB板卡和智能芯片的系统化电场辐射干扰计算模型；进一步考虑智能芯片的结构细小引发的仿真收敛性问题，使用一种有限元加速仿真法进行解决，得到具体电场强度数值。本发明有助于研究智能终端设备的电磁干扰问题，面相长暂态的电磁发射耦合计算提供了可行方法，为电磁计算提供解决方案和参考。