封装结构及其形成方法

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封装结构及其形成方法
申请号:CN202411824812
申请日期:2024-12-11
公开号:CN119725104A
公开日期:2025-03-28
类型:发明专利
摘要
一种封装结构及其形成方法,方法包括:提供第一晶片,第一晶片包括第一导电凸块以及设置于第一导电凸块上的第一焊球,第一导电凸块与第一焊球电连接;形成覆盖第一晶片的导热层,导热层包覆第一导电凸块和第一焊球;在导热层中形成露出第一焊球的开口;提供第二晶片,第二晶片包括第二导电凸块;将第一晶片放置于第二晶片上相焊接,以将第一焊球与第二导电凸块相接合,形成堆叠晶片。通过形成覆盖第一晶片的导热层,在导热层中形成露出第一焊球的开口,能够提高封装结构的可靠性以及散热性能。
技术关键词
封装结构 导电凸块 堆叠晶片 通孔结构 布线 焊球 介电层 酚醛树脂 导热 沟槽 芯片 混合物 氮化硼 二氧化硅 环氧树脂 氧化铝 基板 焊接工艺 侧部
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