封装结构及其形成方法

本发明提供一种封装结构及其形成方法，桥接芯片的内部重布线层顶部未设置导电柱，降低了桥接芯片的整体厚度，进而降低了在制程工艺中桥接芯片过厚而带来的缺陷，降低了由第一塑封层与桥接芯片组件所构成的布线插入层的厚度，从而降低整体制程过程中各工序的翘曲问题以及品质风险。在形成方法中通过先沉积保护层再减薄硅通孔的方式使桥接芯片的硅通孔露出，避免了封装结构因金属离子的迁移扩散而产生的可靠性失效问题。采用薄膜辅助塑封工艺直接形成第一塑封层，避免了在制程工艺中预包覆塑封层过厚而带来的翘曲，进而避免翘曲影响制程作业；并且，有利于降低其他构件的高度，形成更高的连接密度，有利于产品的小型化。