存储芯片的漏电处理方法

本申请提供一种存储芯片的漏电处理方法，所述方法包括：多个测试芯片在存储比特面积缩小前的漏电测试结果、多个测试芯片在存储比特面积缩小后的漏电测试结果以及多个测试芯片在存储比特面积缩小后的功能测试结果，确定多个存在栅极到漏极漏电问题的待优化芯片；按照各待优化芯片对应的待选加工工艺向各待优化芯片的栅极注入磷元素，得到各待优化芯片对应的优化后芯片；对各优化后芯片进行流片验证，得到各优化后芯片对应的验证结果，并根据各验证结果从多个待选加工工艺中确定目标加工工艺，以使用目标加工工艺进行芯片生产。可以有效的降低栅极到漏极漏电问题，保证产品的良率和可靠性。