一种低腐蚀、高稳定的半导体芯片清洗液及其制备方法与应用

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一种低腐蚀、高稳定的半导体芯片清洗液及其制备方法与应用
申请号:CN202411833577
申请日期:2024-12-13
公开号:CN119307334A
公开日期:2025-01-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种低腐蚀、高稳定的半导体芯片清洗液及其制备方法与应用,所述低腐蚀、高稳定的半导体芯片清洗液包括重量配比如下的各组分:羟胺及其衍生物10‑30份;缓蚀剂1‑10份;有机碱20‑50份;螯合剂1‑10份;超纯水10‑20份;有机溶剂10‑30份。本发明还公开了低腐蚀、高稳定的半导体芯片清洗液的制备方法,及其在清洗半导体芯片领域的应用。本发明低腐蚀、高稳定的半导体芯片清洗液清洗条件温和、操作简单,对芯片腐蚀风险低,性能稳定,使用寿命长,在无需超声波工艺配合清洗的纯浸泡工艺条件下,仍能达到较高的清洗效率。本发明低腐蚀、高稳定的半导体芯片清洗液在清洗半导体芯片领域具有良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
技术关键词
高稳定 清洗液 清洗半导体芯片 羟胺 半导体芯片清洗 三丙二醇丁醚 丙二醇甲醚醋酸酯 喹啉 四丁基氢氧化铵 缓蚀剂 四丙基氢氧化铵 螯合剂 水杨羟肟酸 二氢喹诺酮 二乙基 二丙二醇丁醚 超纯水 苯甲羟肟酸 乙二醇单乙醚
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沪ICP备2023015588号