半导体结构及其制作方法和半导体器件

一种半导体结构及其制作方法和半导体器件，该半导体结构包括：中介层，所述中介层中具有多个由所述中介层顶面朝向所述中介层内部延伸的沟槽组成的沟槽阵列，所述沟槽还沿平行于所述中介层顶面的一预设方向延伸；电容，位于所述沟槽中，所述电容包括依次层叠的第一电极层、第一电容介质层以及第二电极层，所述第一电容介质层覆盖所述第一电极层的表面，所述第二电极层覆盖所述第一电容介质层的表面；引出电极层，位于所述中介层中，所述引出电极层与所述第一电极层和/或所述第二电极层电连接，且沿所述预设方向延伸。该半导体结构具有大容量、快速充放电、高集成度、高可靠性的优点，其排布方式也能较好地解决应力问题。