一种内埋芯片腔体填充工艺

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一种内埋芯片腔体填充工艺
申请号:CN202411834923
申请日期:2024-12-13
公开号:CN119812002A
公开日期:2025-04-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种内埋芯片腔体填充工艺,属于电子封装高密度集成领域。本发明将芯片贴装在腔体内,通过植球机在芯片焊盘上植球后,采用刮涂的方式在一定压力下将填充胶填充进腔体,从而实现快速腔体填充。采用本发明的技术方案,可以实现大尺寸高深度的腔体填充,填充工艺简单,填充速度快,并且可兼容多种形状、尺寸基板,填充厚度可调,可为内埋芯片提供良好电、热环境,满足高密度集成要求。
技术关键词
芯片 填充胶 印刷机平台 网版 制作腔体 移动刮刀 导热粉体 厚度可调 电子封装 基板材料 高密度 真空烘箱 腔体结构 导电胶 大尺寸 共晶
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