一种耗尽型GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法

本发明公开了一种耗尽型GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法，涉及耗尽型HEMT芯片制备技术领域，方法包括：在衬底上依次生长GaN漂移区、AlN插入层、AlXGa(1‑X)N势垒层和SiN介质帽层，然后通过离子注入形成隔离区域，光刻和刻蚀源极窗口，制作源极、栅极和漏极电极，并进行快速热退火处理形成欧姆接触，最后生长钝化层并光刻出电极引出区域。该方法通过精确控制生长参数和工艺步骤，确保了芯片的高质量和高性能，提高了芯片的电流传输能力、击穿电压、载流子迁移率和稳定性，为GaN HEMT器件的应用提供了有力支持。