芯片、数据缓冲电路及其控制方法

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正文
推荐专利
芯片、数据缓冲电路及其控制方法
申请号:CN202411835851
申请日期:2024-12-13
公开号:CN119763623A
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种芯片、数据缓冲电路及其控制方法,涉及电子电路技术领域。电路由数据缓冲模块构成,数据缓冲模块包括列地址译码和寄存器阵列,列地址译码含第一、二写入通路和读出通路。第一、二写入通路并联至寄存器阵列输入端,寄存器阵列输出端连接读出通路输入端。第二写入通路通过第一总线与设在电路外部的闪存阵列通信,同时通过第二总线与读出通路通信。第一写入通路获取外部数据至寄存器阵列,第二写入通路负责获取预存数据,并将其与外部数据进行逻辑处理,若处理结果为预设结果,开启运算模式,读出通路将数据输送至闪存阵列进行编程。该设计使得电路能高效处理临时数据,实现高速写入和高并行读写功能,同时简化数字逻辑控制功能。
技术关键词
缓冲电路 闪存阵列 写入驱动器 灵敏放大器 译码 缓冲模块 简化数字逻辑 输入端 双向数据总线 编程 开关 芯片 控制模块 电子电路技术 读写功能 信号
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