切割方法、半导体结构以及芯片

本发明涉及一种切割方法、一种半导体结构以及一种芯片。所述切割方法中，在基板的第二区域形成第一沟槽并填充第一介质层，再在第一沟槽内的第一介质层内形成第二沟槽，通过形成第一沟槽，将基板原本位于第一沟槽区域的结构去除，所述结构可以是复杂结构且可包括不同种材质，在形成所述第二沟槽时，第一沟槽区域仅刻蚀第一介质层，相较于直接去除第二区域的结构以形成沟槽，适用于基板不同切割区域材质，可降低切割难度，且有助于减少切割过程对基板的破坏性及污染，提高切割质量。所述半导体结构和所述芯片可采用上述切割方法形成，所述半导体结构和所述芯片受到的破坏性及污染小，所述半导体结构和所述芯片的质量较高。