一种NPC1三电平主电路拓扑结构

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一种NPC1三电平主电路拓扑结构
申请号:CN202411837212
申请日期:2024-12-13
公开号:CN119727432A
公开日期:2025-03-28
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种NPC1三电平主电路拓扑结构,包括电容池、叠层母排、封装IGBT模块、散热器,电容池与叠层母排连接,叠层母排与封装IGBT模块连接,封装IGBT模块与散热器连接;叠层母排由上至下分布连接的连接层、正极层、N极层、负极层、电气连接层组成。有益效果:有效减小系统杂散电感,使得电器件的间的装配与更换更加便捷;有效增大模块散热面积,通过模块分立搭建使热量均匀分布,有效降低了芯片结温;同时,空间布局可垂直分布占用体积小;通过合理分层布局,有效减小系统杂散电感,增强通流能力,减少母排温升,降低装配工艺难度。
技术关键词
主电路拓扑结构 IGBT模块 叠层母排 电平 杂散电感 功率端子 散热器 电气 电容 负极 结温 铜管 布局 分层 螺栓 芯片
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