封装结构及其形成方法

AITNT
正文
推荐专利
封装结构及其形成方法
申请号:CN202411837318
申请日期:2024-12-13
公开号:CN119419196A
公开日期:2025-02-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括:基板,包括沿第一方向相对分布的正面和背面;电感结构,包括沿第二方向相对分布的第一主面和第二主面以及位于所述第一主面和所述第二主面之间的侧面,所述电感结构的侧面沿所述第一方向贴装于所述基板的正面上,所述第二方向与所述第一方向垂直相交;第一功能芯片,贴装于所述电感结构的所述第一主面上;第二功能芯片,贴装于所述电感结构的所述第二主面上。本发明实现了对封装结构的简化,且减少了对基板上面积的占用,有助于进一步缩小封装结构的尺寸,并提高封装结构的集成度。
技术关键词
电感结构 封装结构 散热片 磁性材料 芯片 布线结构 磁性模组 基板 金属线圈 散热结构 元器件 正面 导电 半导体 尺寸
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号