摘要
本发明提供了一种微型发光芯片及其制备方法、照明设备、显示面板,涉及半导体技术领域。衬底上的弧形凹坑与所制备的微型发光芯片一一对应,在弧形凹坑内形成的外延结构具备一定的弧度,以此增加多量子阱层的有效发光面积,相同面积上实现更强光亮度。并且由于切割线与相邻的弧形凹坑的边缘之间具有间隔,相当于是切割线与微型发光芯片的外延结构的侧壁之间具有间隔,在基于切割线进行的裂片处理过程中,实际上是对衬底进行切割,并不会对外延结构的侧壁造成损伤,且随着切割尺寸的减小,弱化增大的比表面积对发光效率的影响,以此降低微型发光芯片边沿的非辐射复合,进而提高微型发光芯片的量子效率,最终提高微型发光芯片的发光性能。
技术关键词
发光芯片
多量子阱层
凹坑
照明设备
外延结构
切割线
半导体层
衬底
粗糙度
面板
电极
光亮度
间距
尺寸