全光谱LED外延片及其制备方法、LED芯片

本发明涉及光电技术领域，公开了一种全光谱LED外延片及其制备方法、LED芯片，外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、多光谱发光阱层、P型GaN层；所述多光谱发光阱层包括依次层叠的第一发光阱层、第二发光阱层和第三发光阱层，所述第一发光阱层包括若干组依次层叠的InxGa(1‑x)N量子阱层、AlaGa(1‑a)N界面层和第一GaN量子垒层，所述第二发光阱层包括若干组依次层叠的InyGa(1‑y)N量子阱层、AlbGa(1‑b)N界面层和第二GaN量子垒层，所述第三发光阱层包括若干组依次层叠的InzGa(1‑z)N量子阱层、AlcGa(1‑c)N界面层和第三GaN量子垒层。本发明提供的全光谱LED外延片能够提升全光谱芯片发光效率和显色指数。