一种可观察微流控中原位电刺激的移频超分辨显微成像芯片及其制备方法

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一种可观察微流控中原位电刺激的移频超分辨显微成像芯片及其制备方法
申请号:CN202411852046
申请日期:2024-12-16
公开号:CN119715269A
公开日期:2025-03-28
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种可观察微流控中原位电刺激的移频超分辨显微成像芯片及其制备方法,依次包括微流控结构层、微电极阵列层、高折射率波导层、以及移频结构层,且呈现透光性;微流控结构层包括微流控结构能够引导细胞液中细胞神经元沿单细胞通道进行生长;微电极阵列层包括微电极阵列,其能够实现对单细胞通道中的单细胞进行原位电刺激;高折射波导层用于支撑微电极阵列层,并实现高折射率光波导传输;移频结构层用于对入照明光激发大波矢移频光,并传输大波矢移频光至高折射波导层;芯片能够实现对微流控中的单细胞进行原位电刺激的同时支持移频超分辨显微信号成像。
技术关键词
微电极阵列 显微成像 微流控结构 通道 光栅 芯片 参比电极 接触点 原位 照明光 光波导 层图案 光波长 层材料 周期 中心对称 衬底
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