具有非吸收窗口的红光半导体激光器制作方法

本发明公开了一种具有非吸收窗口的红光半导体激光器制作方法，包括：在红光半导体激光器芯片两端腔面处定义非吸收区，去除非吸收区的欧姆接触层；在非吸收区生长ZnO薄膜和SiO2掩膜；将红光半导体激光器芯片样品晶圆放入真空、高温环境中扩散形成非吸收窗口；去除红光半导体激光器芯片样品晶圆表面的SiO2掩膜和ZnO薄膜。本发明提供了一种针对A l Ga I nP材料体系红光半导体激光器的非吸收窗口工艺，从而可以扩大出光区域带隙宽度，实现PL光谱蓝移，减少出光腔面的能量吸收，降低腔面温度，减少腔面烧毁几率，提高红光半导体激光器的最大输出功率、可靠性和使用寿命。