一种集成SBD的SiCMOSFET器件及制备方法

一种集成SBD的SiC MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。在SiC MOSFET芯片内部设置了SBD结构与自带的体二极管并联，内嵌的SBD二极管利用沟槽结构增加了垂直方向上N+区与金属接触的面积，同时N+区的掺杂浓度远大于N‑漂移层，这样重掺杂的N+区也可以降低内嵌的SBD二极管导通压降，大大提升了SiC MOSFET器件的续流能力，减小了功率损耗。在阻断状态下，深注入的PP区有利于屏蔽内嵌的SBD区域和栅沟槽底部的高电场，可提高器件的可靠性。