芯片存储模块设计验证方法及非暂态计算机可读取储存媒体

一种芯片存储模块设计验证方法及非暂态计算机可读取储存媒体，可以在芯片工艺前期改善芯片的电压下压问题且适用于包含多个存储单元的芯片存储模块设计，芯片存储模块设计验证方法包含：(a)基于多个存储单元产生网表；(b)对网表执行内建自我测试，以将多个存储单元分类为多个内建自我测试群组；(c)对内建自我测试群组执行功率分析，以获得内建自我测试群组在工艺电压温度角下所对应的功率值；(d)设定转换时间并根据功率值及转换时间计算多个电流值；(e)响应于多个电流值中的至少一者大于相关于芯片存储模块设计的电流阈值，调整网表的逻辑设计，再次执行步骤(a)；以及(f)响应于多个电流值等于或小于电流阈值，输出芯片存储模块设计。