一种磁阻电流传感器的校准方法及磁阻电流传感器

AITNT
正文
推荐专利
一种磁阻电流传感器的校准方法及磁阻电流传感器
申请号:CN202411856501
申请日期:2024-12-17
公开号:CN119667273B
公开日期:2025-10-14
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种磁阻电流传感器的校准方法及磁阻电流传感器,校准方法包括获取磁阻电流传感器的上电时间和所述磁阻电流传感器的电流采样值;根据所述上电时间确定对应的磁滞偏移电流值;基于所述磁滞偏移电流值对所述电流采样值进行校准以获得校准后的电流值,并将所述校准后的电流值作为所述磁阻电流传感器的测量结果输出。基于本申请提供的磁阻电流传感器的校准方法,可以在不增加复杂的外围电路的前提下提高测量线性度和测量精度。
技术关键词
磁阻电流传感器 电流值 微控制器芯片 校准方法 测试点 模数转换芯片 掉电检测电路 关系 时钟电路 关断 存储器 线性 电容 开关
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号