一种用于碳化硅外延炉的连续生长方法

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正文
推荐专利
一种用于碳化硅外延炉的连续生长方法
申请号:CN202411857621
申请日期:2024-12-17
公开号:CN119640397A
公开日期:2025-03-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于碳化硅外延炉的连续生长方法,该方法通过设置有晶片传递机构的传输腔室设计替代人工放片,可一次性导入多片晶片并连续生长提高了生产效率,晶片放置及传递全机械化减少了人工的干扰,提升产品良率并降低生产成本;同时,本发明设置了与传输腔室连通的衬底片暂存箱和外延片暂存箱,暂存箱可存放衬底或外延片,并在各腔室之间设置闸板阀,在暂存箱打开时闸板阀升起以隔离外界与传输腔室的接触,保障腔室的洁净度;在暂存箱关闭后,闸板阀落下以实现腔室的连通。
技术关键词
连续生长方法 衬底片 外延片 传输腔室 暂存箱 闸板阀 连续生长装置 碳化硅外延 启闭机构 多轴机械臂 端盖 手指结构 卡塞 冷却腔 运动 凸台
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