侧向复合光子晶体半导体激光器

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侧向复合光子晶体半导体激光器
申请号:CN202411858429
申请日期:2024-12-17
公开号:CN119726382B
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种侧向复合光子晶体半导体激光器,可应用于人工微纳结构及半导体激光器技术领域。该激光器包括:刻蚀在外延结构上的增益主阵列、损耗侧向光子晶体阵列以及附加微结构,其中,损耗侧向光子晶体阵列位于增益主阵列的至少一侧;附加微结构位于增益主阵列以及损耗侧向光子晶体阵列中的至少一个的至少一侧。通过传输矩阵法扫描匹配,构建已知增益主阵列的损耗侧向光子晶体阵列,并使得两者相互耦合,使得高阶侧模的损耗提升的同时增大激光器的基模同高阶模式间的模式辨别能力,从而获得以基侧模为主的单模激光输出,减小激光器的水平远场发散角,提高激光器的侧向光束质量。
技术关键词
复合光子晶体 微结构 N型衬底 波导单元 损耗 外延结构 刻蚀深度 半导体材料 支撑半导体芯片 半导体激光器技术 远场发散角 P型接触层 缓冲层 周期性间隔 阵列波导 微纳结构
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