一种交错方向排列抵消IGBT圆片应力的掩膜版

本发明提供了一种交错方向排列抵消IGBT圆片应力的掩膜版，涉及半导体功率器件领域，该掩膜版上包含多个IGBT芯片；IGBT芯片为交错排列，一部分IGBT芯片按0°方向排列，另一部分IGBT芯片旋转90°方向后排列；交错排列的方式通过在掩膜版上将0°方向排列的IGBT芯片沿对角分布；两侧分布90°方向排列的IGBT芯片进行填充后交替排列组成，以实现局部区域应力的相互抵消，从而减小圆片的翘曲。本发明通过交错方向排列的掩膜版设计，减少了IGBT圆片的翘曲问题，显著提高了良率，降低了生产成本，增强了芯片的整体稳定性，为IGBT芯片的高效、稳定生产提供了创新的解决方案。