一种改善沟槽栅IGBT圆片翘曲的掩膜版

本发明提供了一种改善沟槽栅IGBT圆片翘曲的掩膜版，涉及半导体器件制造技术领域，该掩膜版上设有多个IGBT芯片，每个IGBT芯片的规格相同；掩膜版上的IGBT芯片采用交错排列方式，一部分IGBT芯片沿0°方向排列，另一部分IGBT芯片旋转后沿90°方向排列；交错排列的方式通过在掩膜版上采用阵列布局将IGBT芯片以0°方向和90°方向交错的方式排列；掩膜版通过光刻机曝光场的方式将交错排列的IGBT芯片图形转移到硅基材的圆片上，形成沟槽栅的内应力在交错排列的0度和90度两个方向的IGBT芯片之间无法叠加且进行局部区域应力抵消的掩膜版图布局。通过交错的方向排列方式，利用不同方向的应力互相抵消，从而有效地缓解圆片的翘曲。