一种GaN功率器件综合老化应力测试系统及测试方法

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一种GaN功率器件综合老化应力测试系统及测试方法
申请号:CN202411861163
申请日期:2024-12-17
公开号:CN119556091A
公开日期:2025-03-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种GaN功率器件综合老化应力测试系统及方法,旨在实现在一个平台完成GaN功率器件的多种测试需求。系统包括上位机模块、中央控制系统、主电路模块、电源模块、示波器、温度控制模块和被测器件插槽。中央控制系统存储有多种测试程序,如高温反偏、高温栅偏和功率循环模式。上位机模块通过I/O接口与中央控制系统通信,发送控制命令。中央控制系统接收命令后,对温度控制模块、电源模块和主电路模块进行控制。电源模块与主电路模块相连,主电路模块与示波器连接,温度控制模块与被测器件插槽相连,被测器件插槽再与主电路模块连接。
技术关键词
数字信号处理器芯片 GaN功率器件 应力测试系统 中央控制系统 温度控制模块 电路模块 结壳热阻测试方法 水泵电磁阀 漏电流测试方法 电阻测试方法 电源模块 信号调理电路 示波器 降压稳压电路 ADC电路 栅极驱动电路 导热片 MOS开关电路 探头
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