一种具有双场阻止层的RC-IGBT结构及其制造方法

本发明提出了一种具有双场阻止层的RC‑IGBT结构及其制造方法，旨在解决传统RC‑IGBT导通时存在的电压折回现象及器件耐压降低的问题。该结构在集电极侧具有p浮置区的基础上，引入了两层场阻止层，即nFS1层和nFS2层。nFS1层可压缩电场，防止电场扩展至n+短路区，保障器件耐压；nFS2层则通过调节掺杂浓度调控背面空穴注入率。此外，采用局部氧化物进行隔离，降低了工艺难度。本发明的RC‑IGBT结构不仅可在更小的元胞尺寸下抑制电压折回现象，还显著提升了功率芯片性能和可靠性，具有更高的耐压能力和更好的动态特性，对推动电力电子技术的发展和应用具有重要意义。