一种复方富马酸伏诺拉生-阿莫西林包芯片及其制备方法

本发明涉及医药技术领域，尤其涉及一种复方富马酸伏诺拉生‑阿莫西林包芯片及其制备方法。本发明提供的复方富马酸伏诺拉生‑阿莫西林包芯片，以富马酸伏诺拉生速释层为片芯，以阿莫西林控释层为外层。本发明提供的包芯片将伏诺拉生片芯设计为内层，外包阿莫西林脉冲微丸压片层，可有效提高片芯在光照下的稳定性，即使片芯中不含链状有机酸，包芯片在加速条件下的伏诺拉生的有关物质稳定性也良好，达到了添加有机酸和薄膜包衣相同的效果，同时简化了片芯处方。