p-GaN栅HEMT器件、制备方法、芯片及电子设备

本申请公开了一种p‑GaN栅HEMT器件、制备方法、芯片以及电子设备，该器件结构包括：衬底层，依次位于衬底层上的缓冲层、沟道层、势垒层和p‑GaN层；隔离结构，位于HEMT器件的侧壁，其中，隔离结构贯穿于势垒层和沟道层，且位于缓冲层上；钝化层，位于p‑GaN层的侧壁且在势垒层上；MIM结构，位于p‑GaN层上；源极和漏极，分别位于p‑GaN层的不同侧，其中，源极和漏极分别贯穿于钝化层、势垒层和部分沟道层。本申请通过在p‑GaN层上的TiN金属层上表面沉积介质材料和沉积金属层，形成MIM/p‑GaN栅极结构，MIM结构能够抑制介质和氮化镓材料的界面态，提升p‑GaN栅极的耐压型，改善器件阈值电压漂移，减小栅极泄漏电流，进而得到具有高可靠性的p‑GaN栅增强型HEMT器件。