一种可调制载流子分布的快恢复二极管及其制备方法

一种可调制载流子分布的快恢复二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括在N型衬底上沉积外延层，并在外延层的正面注入受主型杂质；在外延层的表面生长氧化层，并在氧化层上打开窗口；由窗口向外延层的正面注入施主型杂质并进行高温扩散处理，得到第一制备件；在第一制备件的表面淀积多晶硅层，通过光刻得到多晶硅场板；对氧化层开设有源区窗口，由窗口向外延层内注入受主型杂质；在外延层内注入重金属杂质并退火，得到第二制备件；对第二制备件的正、背面淀积金属电极层；在正面金属电极层的两侧涂覆聚酰亚胺以形成钝化层。该制备方法能够较好地控制主结区域及场限环区域的范围，降低制备成本，有利于芯片尺寸小型化和产品稳定性。