LED外延片及其制备方法、LED芯片

本发明涉及光电技术领域，公开了一种LED外延片及其制备方法，包括以下步骤：S1、提供衬底；S2、在所述衬底上依次沉积缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层；其中，所述P型GaN层采用下述方法制得：步骤1，生长P型GaN子层；步骤2，通入N2和TMIn对所述P型GaN子层进行退火处理；重复所述步骤1和步骤2至少1次，完成P型GaN层的生长。本发明提供的LED外延片能够提升发光效率。