一种基于芯片级混合键合的倒装封装方法

本发明公开一种基于芯片级混合键合的倒装封装方法，准备芯片晶圆和载板晶圆，先制备出表面的SiN阻挡层，再分别制备SiO2材质的芯片介质层和载板介质层，分别制备出芯片金属层和载板金属层，将芯片晶圆和载板晶圆进行化学机械研磨处理；将芯片晶圆进行激光隐形切割为单个芯片；对芯片和载板晶圆的键合表面进行等离子体清洗和甲酸蒸汽活化处理；使用热压焊机多次拾取芯片，光学对准后放置到载板晶圆进行热压预键合；将已预键合芯片的载板晶圆移动至马弗炉进行退火，形成金属键，完成最终键合。本发明降低了混合键合光刻板开模成本，允许了成熟模块在混合键合中的复用与重组。