正压控制的单片移相器芯片

本申请涉及微电子、半导体及通信技术领域，揭示了一种正压控制的单片移相器芯片，所述芯片包括：依次连接的射频输入隔直电容C1、射频输出隔直电容C2、5.625°移相单元、11.25°移相单元、22.5°移相单元、45°移相单元、90°移相单元、180°移相单元，所述单片移相器芯片采用正压控制。本发明的单片移相器芯片能够采用正压进行控制，解决了传统单片移相器无法用正压进行控制的问题。