一种变流器级功率半导体器件老化分离方法

本发明公开了一种变流器级功率半导体器件老化分离方法。获取变流器级功率半导体器件的I‑V特性曲线与反并联的续流二极管的I‑V特性曲线相加后得到的二次I‑V特性曲线；确定二次I‑V特性曲线上交点和除交点之外的任意一点；在变流器级功率半导体器件正常工作时，测量交点处的导通压降和任意一点的导通压降；在变流器级功率半导体器件老化时，测量交点处的导通压降和任意一点的导通压降；根据4个导通压降，确定键合线脱落导致的增量和焊料层老化导致的增量，以此分离键合线脱落和焊料层老化两种老化模型。本发明方案在变流器层面，实现对各类型功率器件老化模式的分离，打破现有方法中都是组件级、只能在单个功率器件上实现的局限性。