化学机械抛光方法和装置

本申请实施例提供了一种用于晶圆加工的化学机械抛光方法和装置。化学机械抛光方法包括：获取化学机械抛光装置的抛光头各区域的历史抛光压力；根据获取的所述历史抛光压力确定各所述区域的预测去除率；至少一个区域的预测去除率是根据该区域及该区域以外的至少一个其他区域的历史抛光压力而确定的；根据各区域的预测去除率、历史抛光压力和目标去除量确定当前抛光所需的抛光时间和各区域的预测抛光压力。本申请实施例在确定某个区域的预测去除率时，不仅考虑该区域自身的历史抛光压力，还考虑其他区域的历史抛光压力，可以更准确地预测每个区域的预测去除率，使晶圆的实际去除量与目标去除量之间的偏差显著减小，减少局部过抛或欠抛的现象。