一种PIN-FET探测器电压响应度变化比的快速测试系统及方法

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一种PIN-FET探测器电压响应度变化比的快速测试系统及方法
申请号:CN202411880209
申请日期:2024-12-19
公开号:CN119688060A
公开日期:2025-03-25
类型:发明专利
摘要
本发明属于光电检测技术领域,具体涉及一种PIN‑FET探测器电压响应度变化比的快速测试系统及方法,包括微控制器系统板、TEC温度筛选台、温度传感器、光源和电源;微控制器系统板与PIN‑FET探测器和温度传感器连接;PIN‑FET探测器设于TEC温度筛选台上;PIN‑FET探测器与光源连接;温度传感器用于获取PIN‑FET探测器的温度和TEC温度筛选台的温度;电源与微控制器系统板和PIN‑FET探测器连接。与现有技术相比,本发明解决现有技术中缺少对单支或者少量的PIN‑FET探测器进行电压响应度变化比测试的系统和方法,本方案实现了对单支或者少量的PIN‑FET探测器进行电压响应度变化比测试。
技术关键词
快速测试系统 微控制器系统 探测器 快速测试方法 温度传感器 微控制器芯片 电压 人机交互组件 光源 转接板 导热垫 光电检测技术 电源 尾纤 数据 插口 模块 功率 信号
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