多芯片堆叠的封装结构及其制造方法

本发明提供一种多芯片堆叠的封装结构及其制造方法，若干个封装单元沿纵向依次堆叠在基板上，塑封层Ⅱ包覆所有的封装单元；封装单元包括塑封层Ⅰ、存储器芯片和中介层芯片，存储器芯片和中介层芯片通过再布线层实现互连，封装单元之间通过连接凸点实现电性连接。本发明将扇出型封装技术和TSV技术结合，无需每个封装单元包含基板，实现封装结构的轻薄化，信号通过中介层芯片垂直传输，不必在存储器芯片上加工TSV；本发明还通过再布线层增加存储器芯片的连接点数量，使封装单元之间的互连更易、更快实现；并且，本发明对NCF的结构改进，由流动性小的第一膜层起支撑作用，减少胶膜外溢，流动性大的第二膜层优先融化，使连接凸点更易穿过，减少虚焊。