半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，解决沟槽型半导体器件中，沟槽底部易发生电流隧穿效应，造成器件失效的问题。所述半导体器件包括衬底、改性层、栅介质层、栅极、源极和漏极。所述衬底包括在自身厚度方向上相背设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设有凹槽。改性层设于所述凹槽的底面。栅介质层设于所述改性层远离所述第二表面的一侧，以及所述凹槽的侧壁面。栅极设于所述凹槽内，且被所述栅介质层包覆。源极和漏极分别设于所述衬底在自身厚度方向上的相对两侧。其中，设于所述改性层上的栅介质层的厚度大于设于所述凹槽的侧壁面上的栅介质层的厚度。