一种对接外延生长脊波导激光器芯片及其制作方法

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一种对接外延生长脊波导激光器芯片及其制作方法
申请号:CN202411886289
申请日期:2024-12-20
公开号:CN119944435A
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种对接外延生长脊波导激光器芯片及其制作方法,属于激光器技术领域,包括将对接生长的外延片上制作出脊波导结构,脊波导结构涂覆一层光刻胶黏附剂以及两层光刻胶,套刻脊波导结构的凸脊处开出窗口,窗口覆盖无源区和部分有源区的上方区域,对窗口内的外延片进行曝光和显影,去除部分光刻胶,刻蚀去除窗口内的剩余光刻胶暴露出欧姆接触层,腐蚀去除窗口内的欧姆接触层,去除外延片表面的全部光刻胶。本发明通过双层胶光刻和湿法腐蚀来控制欧姆接触层的长度,进一步向有源区上方的欧姆接触层进行腐蚀,有效抑制了电流向无源波导方向的扩散,降低了芯片的阈值电流,降低无源波导区域的发热量,提高了芯片的可靠性。
技术关键词
脊波导激光器 脊波导结构 欧姆接触层 晶圆 有源区 芯片 外延片表面 光刻胶厚度 衬底 过氧化氢溶液 激光器技术 刻蚀机台 涂覆 硫酸 光刻胶层 金属电极
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