封装结构及其形成方法

本发明提供了一种封装结构及其形成方法，所述形成方法先形成桥接芯片组件，其中，通过先沉积保护层再减薄硅通孔的方式使桥接芯片的硅通孔露出，则在减薄过程中保护层能够保护基体，可避免减薄硅通孔所产生的金属离子迁移扩散至基体中。同时，在形成方法所形成的封装结构中，粘附层设置在介质层与基体(或者底部焊垫)之间，且粘附层的热膨胀系数大于底部焊垫以及基体的热膨胀系数，并小于介质层的热膨胀系数，粘附层作为热膨胀系数过渡层，一方面能够降低介质层与基体或者底部焊垫的热膨胀系数差异过大而引起的底部重布线层与桥接芯片分裂的缺陷，另一方面能够将导电连接结构的剪切应力通过介质层及粘附层缓慢传递，提高结构强度和可靠性。